Universität Cambridge setzt auf AIXTRON für 2D-Photonik-Bauelemente der nächsten Generation

Universität Cambridge setzt auf AIXTRON für 2D-Photonik-Bauelemente der nächsten Generation

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EQS-Media / 15.07.2025 / 07:30 CET/CEST

Universität Cambridge setzt auf AIXTRON für 2D-Photonik-Bauelemente der

nächsten Generation

Herzogenrath, 15. Juli 2025 - Die Universität Cambridge in Großbritannien

hat von AIXTRON SE (FSE: AIXA) eine Close Coupled Showerhead®-Anlage für die

Forschung und Entwicklung im Bereich Photonik und Optoelektronik erworben.

Die AIXTRON-Anlage ermöglicht das Wachstum von

Nicht-Graphen-Schichtmaterialien, auch als „Layered Materials“ oder 2D

Materialien bezeichnet, auf ganzen Wafern. Dies wiederum ermöglicht eine

Integration mit Siliziumphotonik, so dass hocheffiziente, schnelle optische

Datenkommunikationsbauelemente hergestellt werden können.

AIXTRONs Close Coupled Showerhead®-Anlage (CCS) in einer 200-mm-Ausführung

wird derzeit im Cambridge Graphene Centre installiert und für die britische

Layered Materials Research Foundry (LMRF) eingesetzt. Das LMRF wird seine

Forschung auf Graphen und andere Nicht-Graphen-Schichtmaterialien ("Layered

Materials", LMs) konzentrieren. Ziel ist es, eine voll integrierte

Silizium-Photonik-Plattform zu entwickeln. Die CCS-Anlage von AIXTRON wurde

für diese Pilotlinie ausgewählt, da sie derzeit die einzige Anlage ist, die

einen nahtlosen Prozesstransfer und eine Skalierung auf 300 mm sowie die

Massenfertigung von LMs ermöglicht. Zudem erlauben AIXTRON's proprietäre

ARGUS-Wafer-Temperaturregelung sowie der Konzentrationsmonitor Epison® (für

die präzise Zufuhr der Quellenmaterialien) im Labor Produktionsbedingungen

wie in der Serienfertigung.

"Wir arbeiten seit vielen Jahren eng mit AIXTRON zusammen, wodurch wir

unsere Forschung und Entwicklung im Bereich der Layered Material

vorantreiben konnten. Das CCS-System von AIXTRON, das wir derzeit in unserem

Cambridge Graphene Centre installieren, wird zur Abscheidung von LMs für

optische Transceiver und Modulatoren verwendet, die für

Hochgeschwindigkeitsdatenanwendungen wie 5G/6G sowie für optische

Verbindungen und Schalter für energieeffiziente KI-Hardware der nächsten

Generation eingesetzt werden sollen", sagt Prof. Andrea Ferrari vom Institut

für Nanotechnologie der Universität Cambridge.

"2D-Schichten bieten enorme Möglichkeiten in der Photonik, Optoelektronik

und Nanoelektronik. Wir freuen uns, dass die Universität Cambridge bei ihrer

weltweit führenden Forschung im Bereich Nanotechnologie auf AIXTRON setzt,

um das Potenzial dieser Materialien auszuschöpfen. Damit tragen wir dazu

bei, die nächste Generation optischer und elektronischer Bauelemente zu

entwickeln", sagt Dr. Felix Grawert, CEO AIXTRON SE.

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communication

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von

Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983

gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie

Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die

Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten

Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für

elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von

Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese

Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien

und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und

Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und

-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere

anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic

Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),

EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),

PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im

Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die

Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe

wie „können“, „werden“, „erwarten“, „rechnen mit“, „erwägen“,

„beabsichtigen“, „planen“, „glauben“, „fortdauern“ und „schätzen“,

Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese

zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die

gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON

Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiche

liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und

Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die

zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder

Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen

zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, da

Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,

Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen

abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage

genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum

Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang

der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der

endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima

und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen

Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,

Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,

Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und

Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine

Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,

Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,

Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen

bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung

der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die

AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt

Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene

zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und

Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung

verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur

Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer

Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine

ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei

Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der

englischen Übersetzung vor.

Ende der Pressemitteilung

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE

Schlagwort(e): Forschung/Technologie

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Sprache: Deutsch

Unternehmen: AIXTRON SE

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52134 Herzogenrath

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E-Mail: invest@aixtron.com

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WKN: A0WMPJ

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